CMP研磨液粒度測量技術(shù)

SPOS對(duì)比激光衍射

CMP研磨液的粒度分析：SPOS與激光衍射

半導(dǎo)體行業(yè)正在朝著更小的線寬和更多的層數(shù)發(fā)展。實(shí)現(xiàn)這種更高密度芯片技術(shù)的最重要的工藝考慮因素之一是對(duì)平坦化步驟更復(fù)雜的控制。平坦化或拋光步驟通過使用主要為二氧化硅和氧化鋁的膠體分散金屬氧化物漿料（化學(xué)機(jī)械平坦化或 CMP）來實(shí)現(xiàn)，平均直徑在 10 – 200 nm 范圍內(nèi)。

這些研磨液被施加到放置晶片的旋轉(zhuǎn)拋光墊上。過去，最_常_用激光衍射法表征這些研磨液的粒度分布。眾_所_周_知，這些研磨液中含有小體積百分比的粒徑大于 1 微米的顆粒。這些顆粒會(huì)在晶圓表面造成劃痕和其他缺陷。本文將證明，由于測量的特性，激光衍射法不足以完成定量確定不合格研磨液顆粒濃度的任務(wù)。另一方面，單顆粒光學(xué)傳感技術(shù) (SPOS) 由于可以對(duì)顆粒進(jìn)行計(jì)數(shù)，因此被證明是表征 CMP 研磨液的出色工具。

高密度集成電路制造中涉及的最重要的工藝控制參數(shù)之一是拋光或平坦化研磨液的性能質(zhì)量。這些研磨液作用于在光刻或沉積步驟后的晶圓表面。CMP研磨液在拋光過程中不會(huì)在晶圓中引起缺陷，這一點(diǎn)非常重要。人們?cè)缇椭?，缺陷是由大的“不合?顆粒的存在引起的。其中一些“大顆粒"是初級(jí)研磨液顆粒的聚集體，而另一些則是使用過程中引入的污染物。首先考慮聚集方面，必須認(rèn)識(shí)到膠體系統(tǒng)在熱力學(xué)上是不穩(wěn)定的。此外，由于混合不當(dāng)或泵的運(yùn)輸作用（剪切）而引起的化學(xué)變化會(huì)加速研磨液的最終分解。使問題進(jìn)一步復(fù)雜化的是第二個(gè)方面，即CMP研磨液在使用前和使用過程中要經(jīng)歷的大量處理。

例如，某些研磨液分為幾個(gè)部分（部分化學(xué)試劑和磨粒），需要混合。二氧化硅研磨液通常以濃縮形式出售，并在現(xiàn)場稀釋。在這些制備過程中，可能會(huì)將污染物引入研磨液中。此外，漿料研磨液通常儲(chǔ)存在稱為手提袋的大容器中，拋光機(jī)從中抽取材料。在某些布置中，儲(chǔ)液罐存放在晶圓廠下方幾層樓，需要泵來遠(yuǎn)距離（30 – 50 英尺）輸送研磨液。剪切力可能會(huì)導(dǎo)致研磨液聚集。研磨液可能會(huì)在從手提袋到拋光機(jī)的距離內(nèi)分離或隔離，從而改變材料的性能特征。無論如何，在從儲(chǔ)存區(qū)域到機(jī)臺(tái)使用研磨液的過程中，有充足的機(jī)會(huì)引入可能導(dǎo)致缺陷的污染物，因?yàn)楦鞣N環(huán)境可能導(dǎo)致研磨液隨著時(shí)間的推移變得不穩(wěn)定和聚集。

因此，平坦化工藝的任何改進(jìn)都需要對(duì)研磨液拋光性能進(jìn)行量化。最_明_顯的方法應(yīng)該是檢測引起缺陷的大顆粒的存在。利用大量的顆粒測量技術(shù)來完成這項(xiàng)任務(wù)似乎是明智的。常用的技術(shù)是激光衍射（LD）。 LD 之所以流行，是因?yàn)檫@些儀器具有大的動(dòng)態(tài)范圍和快速的測量的特點(diǎn)。但基于其物理特性LD器件有著嚴(yán)重的局限性。激光衍射是一種集成技術(shù)，它需要一個(gè)相對(duì)復(fù)雜且基本上“病態(tài)"的數(shù)學(xué)算法來獲得粒度分布（PSD）的近似表示。從適當(dāng)濃度的樣品中獲得的“信號(hào)"是散射/衍射強(qiáng)度與角度的“圖案"。這種圖案是由于許多粒子同時(shí)受到激光光源的照明產(chǎn)生的，所有粒子的散射/衍射光線在每個(gè)探測器元件處混合在一起。散射/衍射光強(qiáng)度角的結(jié)果模式不再類似于最大值和最小值的簡單交替，必須通過適當(dāng)?shù)臄?shù)學(xué)算法對(duì)整套檢測到的強(qiáng)度值（適當(dāng)按時(shí)間平均值）進(jìn)行“反轉(zhuǎn)"和“處理"，以獲得對(duì)基礎(chǔ)PSD的合理準(zhǔn)確和可再現(xiàn)的估計(jì)。

LD是基于兩種物理原理的結(jié)合：夫瑯禾費(fèi)衍射和米氏散射，前者依賴于由衍射現(xiàn)象明確引起的散射光強(qiáng)度的模式。使用合適的探測器元件進(jìn)行空間陣列，在相對(duì)于正向激光束方向的相對(duì)較小的角度范圍內(nèi)檢測衍射光強(qiáng)度。理論上，衍射光強(qiáng)的交替最大值和最小值模式的角范圍與球形粒子的直徑成反比，所有其他物理參數(shù)（例如；波長）都是固定的，粒子越大，圖案就越小。然而，當(dāng)粒徑小于約2mm時(shí)，由于衍射現(xiàn)象而引起的周期性強(qiáng)度變化的空間模式已不再存在。相反，有效的機(jī)制是光散射。因此，為了獲得比夫瑯禾費(fèi)“下限"更小的粒子的可靠的粒徑信息（夫瑯禾費(fèi)“下限"幾乎包括典型CMP的整個(gè)種群分布），必須實(shí)施基于Mie散射理論的第二次測量。該理論描述了由于單個(gè)粒子內(nèi)不同點(diǎn)散射的單個(gè)光波的相互干擾，散射強(qiáng)度在較大角度上的變化。這種效應(yīng)引起散射強(qiáng)度的角度依賴性，這取決于激光波長、粒子直徑和粒子折射率。

此外，散射強(qiáng)度隨角度的變化也受到粒子吸收光的程度的顯著影響，該系數(shù)由粒子（復(fù)數(shù)）折射率的虛部表示。因此，用戶必須準(zhǔn)備好提供漿液顆粒折射率的實(shí)部和虛部。最后，為了有效，“光散射"儀器必須成功地結(jié)合夫瑯禾費(fèi)衍射和米氏散射分析的結(jié)果，以便為重疊物理區(qū)域和理論的PSD產(chǎn)生準(zhǔn)確可靠的結(jié)果。從兩種完_全不同的物理模型構(gòu)建正確的結(jié)果“混合物"對(duì)于基于這兩個(gè)物理原理的儀器來說，是一個(gè)艱巨的、尚未解決的技術(shù)挑戰(zhàn)。

當(dāng)然，LD可以相對(duì)有效地產(chǎn)生可靠的CMP平均粒徑，前提是樣品的基本PSD相對(duì)簡單且“性能良好"。對(duì)于穩(wěn)定、良好的拋光漿料，通常滿足該標(biāo)準(zhǔn)。而在不穩(wěn)定或不良漿料的情況下，大異常粒子的數(shù)量顯著增加，PSD通常不再適用于通過光散射方法進(jìn)行準(zhǔn)確、可靠的分析。相反，不可接受的大且通常不可再現(xiàn)的偽影經(jīng)常導(dǎo)致計(jì)算PSD。

相比之下，SPOS是一種基于光線遮擋的單顆粒計(jì)數(shù)器。通過計(jì)算粒子數(shù)，SPOS可以在發(fā)現(xiàn)大多數(shù)導(dǎo)致缺陷的粒子的尺寸范圍內(nèi)提供超高的分辨率和靈敏度（見應(yīng)用注釋156）。SPOS中的PSD一次只生成一個(gè)粒子，因此它基本上不受從LD獲得的已報(bào)告PSD的各種不穩(wěn)定性和偽影的影響。SPOS可獲得關(guān)于最大漿料顆粒區(qū)域的準(zhǔn)確且可重復(fù)的定量信息，這正是漿料性能最重要的區(qū)域。我們通過查看一些有代表性的數(shù)據(jù)來對(duì)比這兩種技術(shù)，圖1a包含由兩種氧化鈰型漿料上的SPOS獲得的總體分布，已知這些漿料在穩(wěn)定性方面存在問題，并且含有大量大顆粒。漿料1是性能良好的漿料，而觀察到漿料2在其容器底部有沉積物產(chǎn)生，認(rèn)為是不穩(wěn)定的。制造商規(guī)定這些漿料的平均直徑為350 nm，這些分布從1μm開始，PSD類似于平滑衰減的尾巴，漿料2的尾端明顯比更穩(wěn)定漿料1的尾端寬。

圖1. A.氧化鈰研磨液1（圓形）和研磨液2（三角形）的種群分布；b.研磨液1和研磨液2的體積加權(quán)PSD。

圖1.A：氧化鈰料漿1（圓形）和料漿2（三角形）的總體分布；B：漿料1和漿料2的體積加權(quán)PSD。

更清楚地強(qiáng)調(diào)了兩個(gè)樣本之間的差異。對(duì)于漿料2，大于2μm的顆粒占固體體積的比例相對(duì)較大。此外，可以根據(jù)SPOS數(shù)據(jù)計(jì)算尾部粒子體積的絕對(duì)百分比。對(duì)于漿液1，大于1μm的顆粒貢獻(xiàn)0.25%，而漿液2為0.68%，該數(shù)據(jù)再次驗(yàn)證了漿液2明顯更聚集的結(jié)果。應(yīng)注意的是，雖然每個(gè)樣品尾部的材料總量很小，但對(duì)漿料性能的影響可能很大。

圖2包含LD在相同兩種氧化鈰漿料上獲得的體積加權(quán)PSD?；叵胍幌?，這種儀器的使用者必須輸入真實(shí)折射率和假想折射率。一般來說，大多數(shù)材質(zhì)的真實(shí)折射率是已知的，但虛折射率則不然。圖2a包含使用1.65的實(shí)際折射率和0.01i的假想折射率計(jì)算的結(jié)果，而圖2b中的數(shù)據(jù)使用0.10i的假想折射率計(jì)算。這兩組數(shù)據(jù)都是根據(jù)相同的散射光模式計(jì)算的。在每次計(jì)算中，計(jì)算數(shù)據(jù)表明，漿料2比漿料1的分布范圍更廣，顆粒更大。但這些數(shù)據(jù)仍然說明了從LD獲得準(zhǔn)確定量信息的難度。首先，虛折射率的選擇使漿液1平均直徑的發(fā)生了10%的變化，并極大地改變了漿液2的分布形狀。其次，漿液2的結(jié)果表明大部分（>70%）固體體積是由大于1μm的顆粒貢獻(xiàn)的。這是不可能的，它與重量分析的結(jié)果以及SPO的結(jié)果相沖突，SPOS的結(jié)果確定了漿料2中大于1μm的顆粒的固體百分比小于1%。該數(shù)據(jù)證明了上述觀點(diǎn)，折射率的選擇對(duì)激光衍射的結(jié)果影響很大。

圖2. LD獲得的研磨液1（圖中圓圈）和2（菱形）的體積加權(quán)PSD。A.折射率=1.65+0.01i。B.折射率=1.65+0.10i

圖2：通過LD獲得的漿料1（圓形）和漿料2（鉆石）的體積加權(quán)PSD A.折射率=1.65+0.01i，B折射率=1.65+0.10i

下圖的數(shù)據(jù)說明了LD的另一個(gè)問題，即它傾向于產(chǎn)生不代表真實(shí)粒子大小的偽影。圖3顯示了超聲處理后漿料1的體積加權(quán)PSD（ID=1.65+0.10i）。回想一下，未超聲樣品（圖2）的PSD由一個(gè)寬度相對(duì)較窄的單峰組成。使用浸入式聲波探頭進(jìn)行超聲波處理20秒后，平均位移更高，第二個(gè)峰值出現(xiàn)在35μm處，其中含有50%的固體體積。僅_此一項(xiàng)數(shù)據(jù)就表明，超聲波作用會(huì)導(dǎo)致漿料聚集，這與預(yù)期的行為相反。超聲波處理可分解弱結(jié)合聚集體。

圖3.氧化鈰研磨液 1 的體積加權(quán) PSD 經(jīng)過 20 秒的超聲處理后從 LD 獲得。

圖3：超聲處理20秒后，獲得氧化鈰漿料1的體積加權(quán)PSD

圖4a包含了SPOS從同一樣本中獲得的數(shù)量加權(quán)PSD。同樣，只觀察到一個(gè)尾端未看到在35μm處的第二個(gè)峰值。比較大于1μm（0.23%）顆粒的尾部固體百分比表明，與未超聲的樣品（0.25%）沒有變化。圖4b顯示了超聲處理后來自Slurry2的體積加權(quán)SPOS數(shù)據(jù)。它與圖1中未超聲的數(shù)據(jù)疊加。由于超聲作用，大于2μm的顆粒的體積貢獻(xiàn)顯著降低，尾部對(duì)成交量的貢獻(xiàn)率降至0.03%。SPOS似乎表明，與LD結(jié)果相比，超聲處理具有減少大顆粒而不是增加大顆粒的預(yù)期效果。很明顯，SPOS結(jié)果在物理上更真實(shí)。只能得出結(jié)論，圖3中的PSD是由散射光模式反轉(zhuǎn)產(chǎn)生的數(shù)學(xué)偽影造成的。該結(jié)論再次證明了使用LD預(yù)測漿料性能的危害。

圖4.A.超聲處理20秒后的研磨液1;B.超聲處理前后的研磨液2。

作為另一個(gè)例子，考慮圖5中的數(shù)據(jù)。該數(shù)據(jù)是從二氧化硅基CMP中獲得的，比氧化鈰漿料更常用。圖5a包含從0.5μm開始的兩種二氧化硅漿料的SPOS尾部數(shù)據(jù)（體積加權(quán)）。這些漿料的平均直徑被認(rèn)為在0.10至0.15μm范圍內(nèi)。從圖中可以看出，漿液A的顆粒體積在2-20μm范圍內(nèi)占很大比例，而漿液B的顆粒體積不超過5μm。圖5b包含由LD在漿液a上獲得的體積加權(quán)PSD（ID=1.08+0.10i），漿料B的PSD相同。可以看出，它由單個(gè)對(duì)稱峰組成，中心為0.15μm，但沒有大于1μm的顆粒。這是一個(gè)合理的光散射結(jié)果，表明當(dāng)樣品具有窄PSD時(shí)，LD可以獲得有用的平均直徑信息。另一方面，該結(jié)果再次證明了LD的靈敏度較低。雖然SPOS能夠看到這兩種硅漿料的差異，但LD無法查看。

圖5：A.從SPOS獲得的硅漿A和B的體積加權(quán)PSDs B.從LD中獲得的硅漿A的體積加權(quán)PSD

這些數(shù)據(jù)以及之前討論的圖中的數(shù)據(jù)能夠說明量化大的異常粒子的重要性，當(dāng)這些粒子出現(xiàn)在CMP漿料中時(shí)，可能會(huì)導(dǎo)致缺陷和芯片產(chǎn)量降低。在處理器價(jià)格下降的時(shí)候，即使是少量提高產(chǎn)量也能獲得顯著的經(jīng)濟(jì)回報(bào)，唯_一能準(zhǔn)確做到這一點(diǎn)的技術(shù)是SPOS。